| Untersuchung und Reduzierung des Leckstroms integrierter Schaltungen in Nanometer-Technologien bei konstanten Performanceanforderungen Contributor(s): Sill, Frank (Author) |
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ISBN: 3640227417 ISBN-13: 9783640227419 Publisher: Grin Verlag OUR PRICE: $110.11 Product Type: Paperback Language: German Published: January 2009 |
| Additional Information |
| BISAC Categories: - Technology & Engineering | Electrical - Technology & Engineering | Construction - Electrical |
| Physical Information: 0.53" H x 5.83" W x 8.27" (0.68 lbs) 232 pages |
| Descriptions, Reviews, Etc. |
| Publisher Description: Doktorarbeit / Dissertation aus dem Jahr 2007 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,0, Universit t Rostock (Institut f r Angewandte Mikroelektronik und Datentechnik), 146 Quellen im Literaturverzeichnis, Sprache: Deutsch, Abstract: ...] Die Erarbeitung des "Mixed Gates"-Ansatzes erfolgt im Gesamtkontext einer neuen Technik auf Technologie-, Transistor- und Gatterebene in aktuellen Nanometer-Technologien. Dies beinhaltet einen Vergleich mit vorhandenen Techniken, Untersuchungen zur Technologie, die Generierung einer Gatterbibliothek, die Erarbeitung von Algorithmen zur Zuweisung der Gattertypen sowie Analysen zu den theoretischen Grenzen des Ansatzes. Das Ergebnis dieser Untersuchungen ist unter anderem eine erweiterte Transistorbibliothek, welche auf einer pr diktiven "65 nm"-Technologie beruht. Ferner werden Berechnungsmodelle f r die Herleitung einer neuen Gatterbibliothek erarbeitet sowie ein neuer Zuweisungsalgorithmus entwickelt. Dieser hat im Vergleich zu bekannten Algorithmen einen deutlich geringeren Rechenaufwand bei gleichzeitig h herer Leckstromreduzierung. Vergleichend dazu wird der Einsatz von Evolutionsstrategien untersucht. Aus den Simulationsergebnissen folgt, dass durch den "Mixed Gates"-Ansatz der Leckstrom maximal um den Faktor 5 reduziert werden kann, wobei die Performance der Schaltung konstant bleibt. Gegen ber bekannten DxCMOS-Ans tzen wird durch den neuen Ansatz der Leckstrom zus tzlich um durchschnittlich 24 % reduziert. Dar ber hinaus k nnen die in dieser Arbeit vorgenommenen Untersuchungen zum "Mixed Gates"-Ansatz auch als Grundlage f r hnliche Techniken zur Leckstromreduzierung verwendet werden. |